10M110JLF
Характеристики продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Особенности | - |
| Экранирование | Unshielded |
| Допуск | ±5% |
| Корпус | Axial |
| Поставщик Устройство Корпус | Axial |
| Высота - Установленная (Макс.) | - |
| Рейтинги | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Ток - Насыщение (Isat) | - |
| Тип | Wirewound |
| Материал - Ядро | Phenolic |
| Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
| Индуктивность Частота - Тест | 25 MHz |
| Размер / Габариты | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | 85mOhm Max |
| Индуктивность | 110 nH |
| Частота - Собственный резонанс | 660MHz |
| Ток (Амперы) | 1.309 A |