CIG22E2R2MNE
Характеристики продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Особенности | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Допуск | ±20% |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Q @ Freq | - |
| Частота - Собственный резонанс | - |
| Рейтинги | - |
| Экранирование | Shielded |
| Ток - Насыщение (Isat) | - |
| Материал - Ядро | - |
| Индуктивность | 2.2 µH |
| Корпус | 1008 (2520 Metric) |
| Поставщик Устройство Корпус | 1008 (2520 Metric) |
| Размер / Габариты | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Ток (Амперы) | 1.3 A |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.039" (1.00mm) |
| Тип | Multilayer |
| Индуктивность Частота - Тест | 1 MHz |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | 150mOhm |