CIG32W1R0MNE
Характеристики продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Допуск | ±20% |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Q @ Freq | - |
| Частота - Собственный резонанс | - |
| Рейтинги | - |
| Экранирование | Shielded |
| Материал - Ядро | - |
| Корпус | 1210 (3225 Metric) |
| Размер / Габариты | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Ток (Амперы) | 1.5 A |
| Индуктивность | 1 µH |
| Ток - Насыщение (Isat) | 2.7A |
| Тип | Multilayer |
| Индуктивность Частота - Тест | 1 MHz |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | 60mOhm |