CIGT201208EH2R2MNE
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Особенности | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Высота - Установленная (Макс.) | - |
| Допуск | ±20% |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Q @ Freq | - |
| Частота - Собственный резонанс | - |
| Рейтинги | - |
| Экранирование | Shielded |
| Ток - Насыщение (Isat) | - |
| Корпус | 0805 (2012 Metric) |
| Размер / Габариты | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Индуктивность | 2.2 µH |
| Поставщик Устройство Корпус | 0805 (2012 Metric) |
| Индуктивность Частота - Тест | 1 MHz |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | - |
| Материал - Ядро | Metal Composite |
| Тип | Thin Film |