CSBX1050-8R2M
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Допуск | ±20% |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Q @ Freq | - |
| Частота - Собственный резонанс | - |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Экранирование | Shielded |
| Рейтинги | AEC-Q200 |
| Корпус | Nonstandard |
| Тип | Wirewound |
| Индуктивность | 8.2 µH |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.185" (4.70mm) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Индуктивность Частота - Тест | 100 kHz |
| Ток (Амперы) | 8.1 A |
| Материал - Ядро | Metal Composite |
| Ток - Насыщение (Isat) | 11.5A |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | 15.1mOhm Max |
| Особенности | High Saturation |
| Размер / Габариты | 0.441" L x 0.402" W (11.20mm x 10.20mm) |