HBWS1005-8N7S
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Экранирование | Unshielded |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип | Wirewound |
| Сопротивление постоянному току (DCR) | 200mOhm Max |
| Корпус | 0402 (1005 Metric) |
| Ток (Амперы) | 480 mA |
| Допуск | ±0.3nH |
| Материал - Ядро | Ceramic |
| Частота - Собственный резонанс | 4.1GHz |
| Поставщик Устройство Корпус | 0402 (1005 Metric) |
| Индуктивность Частота - Тест | 250 MHz |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.020" (0.50mm) |
| Размер / Габариты | 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) |
| Индуктивность | 8.7 nH |
| Q @ Freq | 18 @ 250MHz |